28 lutego 2024 r. Samsung poinformował, że testuje pierwszą w branży kartę pamięci microSD Express o pojemności 256 GB, ponad czterokrotnie szybszą od dotychczas istniejących modeli. Przypomnijmy, że microSD Express to nowy interfejs kart SD z PCIe Gen3x1 (w oparciu o specyfikację SD 7.1 opublikowaną w lutym 2019 r.). Teoretyczna prędkość transferu karty SD Express wynosi 985 MB/s.

Firma poinformowała również o rozpoczęciu masowej produkcji karty microSD UHS-1 o pojemności 1 TB. Poprzez wprowadzenie nowej generacji kart microSD, Samsung ma na celu zaspokojenie różnorodnych potrzeb, które pojawią się w zastosowaniach mobilnych oraz w urządzeniach wykorzystujących sztuczną inteligencję (AI).

Pierwsza w branży karta microSD Express o transferze 800 MB/s

Samsung, jako pierwszy w branży, wprowadził innowacyjną kartę microSD opartą na interfejsie SD Express. Jej opracowanie było możliwe dzięki współpracy z partnerami w celu stworzenia niestandardowego rozwiązania.
Karta microSD Express charakteryzuje się niskim poborem energii oraz zastosowaniem zaawansowanej technologii oprogramowania sprzętowego. Ów software zaprojektowany został z myślą o maksymalizacji wydajności i efektywnym zarządzaniu temperaturą. Dzięki tym innowacjom wydajność karty jest porównywalna z osiągami kompaktowych dysków SSD. W tradycyjnych kartach microSD z interfejsem UHS-1 szybkość odczytu była ograniczona do 104 MB/s. Dzięki wykorzystaniu wariantu SD Express znacząco zwiększono ją do 985 MB/s, choć wcześniej zastosowanie tego rozwiązania na skalę komercyjną nie było możliwe.

 

Karty microSD Express mają sekwencyjną szybkość odczytu do 800 MB/s – to 1,4 razy szybciej niż w dyskach SSD SATA (do 560 MB/s) i ponad cztery razy szybciej w porównaniu z tradycyjnymi kartami pamięci UHS-1 (do 200 MB /s). Taka szybkość umożliwia płynniejszą pracę aplikacji na komputerach i urządzeniach mobilnych. W celu zapewnienia stabilnej wydajności, nawet podczas intensywnego użytkowania, zastosowano technologię Dynamic Thermal Guard (DTG), która utrzymuje optymalną temperaturę karty microSD Express.


 
Karta microSD UHS-1 1 TB (terabajt) z najnowocześniejszą pamięcią V-NAND 1 Tb (terabit)

Nowa karta Samsung microSD o pojemności 1 TB wykorzystuje osiem warstw autorskiej pamięci V-NAND 1-terabita (Tb) ósmej generacji. Ta zmiana umożliwiła stworzenie karty microSD o dużej pojemności, dotąd spotykanej wyłącznie w dyskach SSD. Nowa karta microSD 1 TB przeszła rygorystyczne testy branżowe, potwierdzając swoją efektywność nawet w trudnych warunkach. Dzięki takim cechom jak hermetyczność, odporność na ekstremalne temperatury i upadki, a także ochrona przedzużyciem oraz promieniowaniem rentgenowskim i polami magnetycznymi, karta ta stanowi połączenie technologicznego zaawansowania i wytrzymałości. Poniższe sześć czynników ochrony dotyczy wyłącznie karty microSD UHS-1 o pojemności 1 TB, a nie karty microSD Express o pojemności 256 GB.

Cechy wytrzymałościowe kart microSD UHS-1 1 TB 1 TB

- Głębokość - 1 m,

- Przebywanie w słonej wodzie -
72 h.

- Temperatury pracy:
od -25 do 85 °C,

- Temperatury w stanie spoczynku: od -40 do 85 °C.

- Toleruje standardowe aparaty rentgenowskie w portach lotniczych (do 100 mGy); odpowiednik pola magnetycznego od silnego skanera MRI (do 15 000 gausów).

- Wytrzymuje upadki z wysokości do 5 metrów oraz do 10 000 wsunięć i wysunięć.

1 2 » ostatnia »